西电郝跃院士荣获“2019年度陕西省最高科学技术奖”

3月11日，陕西省长刘国中主持召开省政府第六次常务会议，研究了2019年度省科学技术奖励工作。会议决定，授予杨绍卿、安芷生、郝跃三位院士2019年度陕西省最高科学技术奖，对“复杂疾病相关模式发现理论与方法研究”等260个项目进行奖励。

郝跃，中国科学院院士，长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果，是我国第三代半导体电子学领域的开拓者和引领者，也是该领域享誉全球的微电子学知名学者。

郝跃教授长期奋斗在科研和教学一线，从上世纪九十年代开始研究第三代（宽禁带）半导体材料与器件研究，开拓和引领了我国第三代（宽禁带）半导体电子材料与器件的发展。创建了我国第三代半导体氮化镓外延生长、器件结构以及制造工艺的理论与技术体系，实现了我国第三代半导体从核心设备、材料到器件的重大创新，并使我国在氮化物第三代半导体电子器件步入国际领先行列。科研教学成果使得陕西省在第三代半导体研究领域处于国内领先地位，在国际上有重要地位。